三星開發400多層3D NAND

三星目前正在開發 286 層的第九代 3D NAND，並正在開發 400 層技術。 這是透過 2025 年 IEEE 國際固態電路會議議程發布 [PDF] 透露的。 2 月19 日的第30.1 場會議，第65 頁，標題為“A 28Gb/mm2 4XX-Layer 1Tb 3b/cell WF-Bonding 3D-NAND Flash with 5.6Gb/s/pin IO”，論文由三星團隊撰寫。 這款 1 太比特 NAND 晶片具有 28 Gb/mm2 密度、400 多個層和三級單元 (3b) 格式，將是三星的第十代 V-NAND 技術。 Gen 9 晶片採用雙串堆疊，具有 2 x 143 層，並具有 TLC 和 QLC（4 位元/單元）格式。第 9 代 V-NAND 支援高達 3.2 Gbps 的資料速度，而新的 400 多層技術支援每引腳 5.6 Gbps，速度提高了 75%。該速度似乎適合 PCIe 5 和兩倍速度的 PCIe 6 互連。 「WF-Bonding」指晶圓間鍵合，其中兩個獨立的 NAND 晶圓（其上已製造有單元和/或電路）彼此附著。這種鍵結使每個晶圓的製造流程在可擴展性、性能和產量方面得到最佳化。

生產中層數最多的是SK 海力士，有321 層，其次是三星，有286 層，鎂光有276 層。SK hynix 的 Solidigm 子公司可以說以其 QLC 格式的 192 層技術回到了層數黑暗時代，儘管它剛剛發布了使用這種 3D NAND 的高容量 122 TB SSD。中國長江儲存即將推出300層晶片。

我們知道一些儲存供應商一直在討論 256 TB 驅動器，並假設這些驅動器將使用比目前可用的更高級的層數。三星現有的QLC BM1743 SSD，容量為61.44TB，由176層建構；其第七代V-NAND。憑藉三星V9的286層和V10的400+層，更高容量（例如256 TB甚至512 TB）以及用於智慧型手機、車輛ADAS系統等的更高容量嵌入式SSD成為可能。

我們不知道三星 400 多層 NAND 晶片是否以及何時投入生產。這將是新管理層的決定。